太阳能级硅的制备方法

摘要

本发明提供了一种太阳能级硅的制备方法，该方法采用金属硅或金属硅粉为原材料，通过化学除杂与物理冶炼除杂相结合的方法，将硅中的各杂质元素含量降到1ppm以下，特别是磷≤0.5ppm，B≤0.3ppm，电阻率≥2Ωcm，从而制得低成本的高纯硅。与现有技术相比，本发明采用化学处理和物理处理相结合，能更有效地降低硅里面的杂质元素；能耗较低，设备投资少，建设周期短，过程的环保容易克服，相同规模的投资比较少；与纯物理熔炼方法比较，更容易降低B、P的含量，所得产品纯度高。

主权项

1.一种太阳能级硅的制备方法，其特征在于：以金属硅或金属硅粉为原材料，先用化学方法一热的强酸除去60～95％的硼、铁、铝、镁、钙等杂质元素，然后通过物理方法一真空熔炼除去砷、硫、碳、磷等非金属元素和部分金属杂质元素，再经粉碎、化学清洗、熔炼处理将各杂质元素降到1ppm以下，使电阻率≥2Ωcm，特别是磷≤0.5ppm，B≤0.3ppm，即得太阳能级硅。