发明名称 具有纳米结构化表面的制品
摘要 本发明涉及一种包括至少一个纳米结构化表面的制品,其中:所述纳米结构化表面由具有低于25mJ/m<sup>2</sup>,优选地为低于20mJ/m<sup>2</sup>的表面能的材料制成,并且包括限定出腔的相接的基元的阵列,所述基元的所述腔通过中间的固体20材料壁而被彼此分隔开,并且所述腔具有满足以下条件的平均高度(H)和平均半径(R):R≥5nm,优选地R≥10nm;2R≤250nm,优选地R≤200nm,更好地R≤150nm,更优选地R≤100nm;以及H≤3R。本发明还涉及一种用于设计纳米结构化表面的方法,所述纳米结构化表面包括限定出腔的并置基元的阵列,所述腔通过固体30中间壁而彼此分隔开。
申请公布号 CN105792953A 申请公布日期 2016.07.20
申请号 CN201380081423.4 申请日期 2013.12.06
申请人 埃西勒国际通用光学公司;株式会社尼康 发明人 S·库代尔;R·德利约;G·托尔蒂西耶
分类号 B08B17/06(2006.01)I;G02B1/11(2015.01)I;G02B27/00(2006.01)I 主分类号 B08B17/06(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 牛南辉;魏子翔
主权项 一种制品,其包括至少一个纳米结构化表面,其中:‑所述纳米结构化表面由具有低于25mJ/m<sup>2</sup>,优选地低于20mJ/m<sup>2</sup>的表面能的材料制成,并且包括限定出腔的相接的基元的阵列,所述基元的所述腔通过中间的固体材料壁而被彼此分隔开,并且向所述外界开口,并且‑所述腔具有满足以下条件的平均高度(H)和平均半径(R):R≥5nm,优选地R≥10nm;R≤250nm,优选地R≤200nm,更好地R≤150nm,更优选地R≤100nm;以及H≤3R。
地址 法国沙朗通勒蓬