发明名称 Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
摘要
申请公布号 DE10295303(T5) 申请公布日期 2004.09.23
申请号 DE20021095303T 申请日期 2002.09.25
申请人 SONY CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 FUJIWARA, ICHIRO;NOBUKATA, HIROMI
分类号 G11C16/04;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788;H01L21/824 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
主权项
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