Zwischenschicht für Kupferstrukturierung und Verfahren zur Bildung derselben

摘要

Ein Verfahren zum Bilden einer Metallisierungsschicht über einem Halbleitersubstrat umfasst das Abscheiden einer Deckschicht eines Diffusionsbarriereliners über einer dielektrischen Zwischenebenschicht und das Abscheiden einer Deckschicht einer Zwischenschicht über dem Diffusionsbarriereliner. Eine Deckschicht einer Leistungsmetallschicht, die Kupfer umfasst, wird über der Zwischenschicht abgeschieden. Die Zwischenschicht umfasst eine feste Lösung eines Majoritätselements und Kupfer. Die Zwischenschicht weist eine unterschiedliche Ätzselektivität zu der Leistungsmetallschicht auf. Nach dem Abscheiden der Leistungsmetallschicht, Strukturieren der Leistungsmetallschicht, der Zwischenschicht und des Diffusionsbarriereliners.