| 摘要 |
使用镶嵌制程以在共同基板上形成鳍式场效电晶体与平面装置(例如MOSFET)的半导体结构之方法。鳍式场效电晶体的半导体鳍藉由镶嵌制程而在一基板上形成，其中半导体鳍成长受到植入离子而中断，植入离子随后转换成使得半导体鳍与基板电性隔离之区域。因为形成镶嵌体鳍所用的遮罩亦作为植入离子时的植入遮罩，所以隔离区域自我对准鳍。在形成鳍式场效电晶体的期间，明确的说是在形成鳍式场效电晶体的闸极期间，半导体鳍可由图案化层支撑。环绕鳍式场效电晶体的电性隔离可为自我对准制程，其使得约在鳍式场效电晶体附近的基板形成凹陷，且以介电材料至少部份地填塞该凹陷。 |
