半导体装置及其制造方法

摘要

形成绝缘膜(3或1)，其被覆于半导体构成体(2)之外部连接用电极(10a)上面，且在绝缘膜(3或1)上形成金属遮罩层(52,65)，其形成有比外部连接用电极(10a)之平面尺寸还小的平面尺寸之开口部(53,64)。藉由将该金属遮罩层(52,65)作为遮罩而照射雷射光束于绝缘膜(3或1)，在绝缘膜(3或1)形成抵达外部连接用电极(10a)之连接用开口部(13)。在绝缘膜(3或1)上形成配线(21)且使配线(21)透过连接用开口部(13)而连接于外部连接用电极(10a)。