| 摘要 |
本发明系使非挥发性半导体记忆装置之性能提高。一种非挥发性半导体记忆装置，其系于同一个矽基板1上具备：分裂闸极型记忆胞M1A，其系具有控制闸极电极CGs以及侧壁记忆体闸极电极MGs；及单闸极型记忆胞M2，其系具有单记忆体闸极电极MGu；其中，第1区域R1上经由控制闸极绝缘膜ICs而形成有控制闸极电极CGs，且第1区域R1上经由电荷储存膜IMs而形成有侧壁记忆体闸极电极MGs，同时，第2区域R2上经由电荷储存膜IMu而形成有单记忆体闸极电极MGu。此时，侧壁记忆体闸极电极MGs与单记忆体闸极电极MGu系于同一个步骤中形成，且控制闸极电极CGs与侧壁记忆体闸极电极MGs系形成为于彼此电绝缘之状态下，彼此相邻地配置。 |
