发明名称 磁阻效应元件
摘要 此磁阻效应元件,包含由一对强磁性层和位于那些的中间的阻挡层所构成的层积构造;至少一方的上述强磁性层,至少接于阻挡层的部分具有非晶形物质状态,上述阻挡层为具有单结晶构造的MgO层。
申请公布号 TWI390780 申请公布日期 2013.03.21
申请号 TW094130390 申请日期 2005.09.05
申请人 佳能安内华股份有限公司 日本;独立行政法人产业技术总合研究所 日本 发明人 大卫 贾耶帕威拉;恒川孝二;长井基将;前原大树;山形伸二;渡边直树;汤浅新治
分类号 H01L43/08 主分类号 H01L43/08
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本