| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法、具有其的存储单元和电子设备 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：衬底，包括有源区和隔离有源区的器件隔离区；以及掩埋位线和埋栅电极，形成在衬底中。器件隔离区包括在第一方向上延伸的第一器件隔离区以及在与第一方向交叉的第二方向上延伸且具有形成的空气隙的第二器件隔离区。 | ||
| 申请公布号 | CN106067465A | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201510896250.2 | 申请日期 | 2015.12.08 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 金承焕 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括有源区以及隔离有源区的器件隔离区；以及掩埋位线和埋栅电极，形成在半导体衬底中，其中，器件隔离区包括：第一器件隔离区，在第一方向上延伸；以及第二器件隔离区，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，且具有空气隙。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||