| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：经由绝缘膜2、3形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；形成在上述焊盘电极(4)的表面上的镀敷层(7)；形成在上述镀敷层(7)的表面上并与上述焊盘电极电连接的导电端子(9)；覆盖上述绝缘膜(2、3)之上和上述焊盘电极(4)的侧端部而形成的第一钝化膜(5)。通过覆盖上述第一钝化膜(5)之上和上述镀敷层(7)和上述导电端子(9)的侧壁的一部分而形成第二钝化膜(10)，覆盖造成腐蚀的焊盘电极(4)的露出部(8)。 | ||
| 申请公布号 | CN1881573A | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN200610092671.0 | 申请日期 | 2006.06.13 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 森田佑一;石部真三;野间崇;大塚久夫;高尾幸弘;金森宽 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L23/485(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具有：焊盘电极，其经由绝缘膜形成在半导体衬底上；第一钝化膜，其覆盖上述焊盘电极的端部，并在上述焊盘电极之上具有开口部；镀敷层，其经由上述开口部而形成在上述焊盘电极之上；导电端子，其形成在上述镀敷层的表面上，与上述焊盘电极电连接；第二钝化膜，其覆盖上述镀敷层和上述第一钝化膜之间的上述焊盘电极的露出部而形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||