发明名称 具有抗RIE防腐蚀膜的磁检测元件及其制造方法
摘要 本发明的目的特别在于提供一种磁检测元件及其制造方法,在利用层叠体形成用掩模层将具有固定磁性层、非磁性材料层、以及自由磁性层的层叠体形成为预定形状时,能够将上述层叠体适当地形成为预定形状,并且能够防止上述自由磁性层的腐蚀。在自由磁性层(28)上层叠有中间层(35)、防腐蚀层(36),上述防腐蚀层(36)防止由反应性离子蚀刻腐蚀自由磁性层(28)。由此,能够将层叠体(22)适当地形成为预定形状,并且能够防止上述自由磁性层(28)的腐蚀,能够制造再生特性良好的磁检测元件。
申请公布号 CN1881418A 申请公布日期 2006.12.20
申请号 CN200610092657.0 申请日期 2006.06.13
申请人 阿尔卑斯电气株式会社 发明人 本田贤治;石桥直周;早川康男;西山义弘;青木大悟;小林俊宏
分类号 G11B5/39(2006.01);G01R33/09(2006.01);H01L43/08(2006.01);H01L43/12(2006.01) 主分类号 G11B5/39(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 陈英俊
主权项 1.一种磁检测元件,其特征在于,在基板上,至少从下开始按固定磁性层、非磁性材料层、以及自由磁性层的顺序层叠,在上述自由磁性层上直接或间接地形成有对反应性离子蚀刻的防腐蚀层。
地址 日本东京都