| 发明名称 | 互补性金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种互补性金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，该方法包括如下步骤：a.提供半导体衬底，半导体衬底包括核心器件区域和输入/输出器件区域，在核心器件区域和输入/输出器件区域的半导体衬底上均形成有栅氧化层和位于栅氧化层上的栅极；b.进行再氧化栅氧化层及栅极的步骤，在栅氧化层以及栅极的侧壁形成栅氧化壁；c.掩模核心器件区域，在输入/输出器件源漏低掺杂区进行离子注入；d.对输入/输出器件源漏低掺杂区进行退火氧化步骤，在栅氧化壁的侧壁生成侧墙，温度范围是650℃－850℃，侧墙的生长时间范围是10min－150min。相较于现有技术，本发明制造方法可有效减少了热载流子对栅氧化层破坏，提高了晶体管的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101261958A | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200710037833.5 | 申请日期 | 2007.03.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1. 一种互补性金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a.提供半导体衬底，半导体衬底包括核心器件区域和输入/输出器件区域，在核心器件区域和输入/输出器件区域的半导体衬底上形成有栅氧化层和位于栅氧化层上的栅极；b.进行再氧化栅氧化层及栅极的步骤，在栅氧化层以及栅极的侧壁形成栅氧化壁；c.掩模核心器件区域，在输入/输出器件源漏低掺杂区进行离子注入；d.对输入/输出器件源漏低掺杂区进行退火氧化步骤，在栅氧化壁的侧壁生成侧墙，退火氧化的温度范围是650℃-850℃，侧墙生长时间为10min-150min。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||