| 发明名称 | 一种低温圆片键合方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种低温圆片键合方法，分别在两圆片的键合区制作焊料层，在其中一圆片的焊料层表面制作活性反应层，将两圆片的键合区对准，向键合区施加挤压力，同时向活性反应层提供一个能量激励，使其发生固相反应产生大量热量，从而熔化焊料层实现两圆片的键合。本发明满足热膨胀系数差较大的同质或异质材料间的键合要求，提高了电子器件的封装效率，同时降低键合过程中产生的热变形、残余热应力对器件性能的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101261932A | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200810047370.5 | 申请日期 | 2008.04.18 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 陈明祥;刘文明;刘胜 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/50(2006.01);B81C1/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 | 代理人 | 曹葆青 |
| 主权项 | 1、一种低温圆片键合方法，分别在两圆片的键合区制作焊料层，其特征在于，还在其中一圆片的焊料层表面制作活性反应层，将两圆片的键合区对准，向键合区施加挤压力，同时向活性反应层提供一个能量激励，使其发生固相反应产生大量热量，从而熔化焊料层实现两圆片的键合。 | ||
| 地址 | 430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||