| 发明名称 | 光电转换元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种光电转换元件，其包含：第一导电型无机半导体层（3）；贵金属膜（4），设置于第一导电型无机半导体层表面的局部；以及光电转换层（7），具有与贵金属膜接触且含硫原子的第一导电型有机半导体柱（5）、和与第一导电型无机半导体层接触且不含硫原子的第二导电型有机半导体柱（6）。 | ||
| 申请公布号 | CN103782407B | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201180073252.1 | 申请日期 | 2011.09.08 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 百濑悟 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 崔香丹;洪燕 |
| 主权项 | 一种光电转换元件，其特征在于，包括：第一导电型无机半导体层；贵金属膜，设置在所述第一导电型无机半导体层表面的局部；以及光电转换层，具有与所述贵金属膜接触且含硫原子的第一导电型有机半导体柱和与所述第一导电型无机半导体层接触且不含硫原子的第二导电型有机半导体柱。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县川崎市 | ||