| 发明名称 | 结晶半导体薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种通过在半导体薄膜上连续照射能量光束同时以特定的速度扫描来结晶半导体薄膜的方法，其中，半导体薄膜完全熔化，并且设定能量束的照射条件，使得结合使用能量束的扫描使处于能量束的中心位置的半导体薄膜最后结晶。 | ||
| 申请公布号 | CN101038868A | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
| 申请号 | CN200710103569.0 | 申请日期 | 2007.03.13 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 藤野敏夫;町田晓夫;河野正洋 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/336(2006.01);B23K26/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1.一种通过在半导体薄膜上连续照射能量光束同时以特定的速度扫描来结晶半导体薄膜的方法，其中所述的半导体薄膜完全熔化，并且设定能量束的照射条件，使得结合使用所述能量束的扫描使处于所述能量束的中心位置的所述半导体薄膜最后结晶。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||