| 发明名称 | 微电子结构和制造微电子结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种微电子结构和制造微电子结构的方法，包括在衬底上设置和形成电阻器。导体接触层接触所述电阻器。使用Blech常数确定所述导体接触层的最大长度，以避免构成所述导体接触层的导体材料的电迁移。 | ||
| 申请公布号 | CN101086989A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200710089344.4 | 申请日期 | 2007.03.23 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 阿尼尔·K.·钦特哈吉迪;杰拉德·马图西耶维茨;李保振 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建峰 |
| 主权项 | 1.一种微电子结构，包括：设置在衬底上的电阻器；和接触所述电阻器的导体接触层，其中使用Blech常数确定所述导体接触层的最大长度，以避免包括所述导体接触层的导体材料的电迁移。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||