处理系统、处理方法和计算机程序

摘要

本发明提供一种能够容易地调整气体流量的处理系统、处理方法和程序。在立式热处理装置(1)中设有多个向收容半导体晶片(W)的反应管(2)内供给处理气体的气体供给管(16～20)。流量调整部(21～25)控制气体供给管(16～20)的流量。控制部(50)中存储有表示包括处理气体流量的工艺条件以及处理气体的流量与膜厚关系的膜厚流量关系模型。控制部(50)基于在工艺条件下处理半导体晶片(W)的处理结果和膜厚流量关系模型，计算处理气体的流量、控制流量调整部(21～25)，将处理气体的流量变更为计算出的处理气体的流量，并对半导体晶片(W)进行处理。

主权项

1.一种处理系统，其特征在于，包括：处理室，收容被处理体；处理气体供给装置，向该处理室内供给处理气体；处理条件存储单元，存储包括从所述处理气体供给装置供给的处理气体的流量的与处理内容对应的处理条件；模型存储单元，存储表示处理气体的流量与处理结果的关系的流量处理结果关系模型；流量计算单元，输入在所述处理条件存储单元所存储的处理条件下处理所述被处理体的处理结果，基于该处理结果和由所述模型存储单元所存储的流量处理结果关系模型，计算处理气体的流量；和处理单元，当由所述流量计算单元计算出处理气体的流量时，将所述处理条件的处理气体的流量变更为由所述流量计算单元计算出的处理气体的流量，对被处理体进行处理。