| 发明名称 | 光学微机电元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造光学微机电元件的方法，其包含提供一基质；沉积一氧化物层于该基质上；于该基质上进行多次蚀刻，以形成多种深度的沟槽(trench)；沉积第一多晶硅层，以回填该沟槽；沉积第一氮化物层与第二多晶硅层于该被回填的沟槽上；移除该第一多晶硅层；沉积第二氮化物层；以及进行一体蚀刻(bulketching)。 | ||
| 申请公布号 | CN100465786C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200410068511.3 | 申请日期 | 2004.08.24 |
| 申请人 | 华新丽华股份有限公司 | 发明人 | 吴名清;林弘毅;方维伦 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01);G02B26/10(2006.01);B81B7/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种制造光学微机电元件的方法，其包含:提供一基质；沉积一氧化物层于该基质上；于该基质上进行多次蚀刻，以形成多种深度的沟槽；沉积第一多晶硅层，以回填该沟槽；沉积第一氮化物层与第二多晶硅层于该第一多晶硅层与该氧化物层上；将该第一氮化物层与该第二多晶硅层图案化；移除该第一多晶硅层的一部分；沉积第二氮化物层；以及进行一体蚀刻。 | ||
| 地址 | 台湾省台北市民生东路三段117号12楼 | ||