具有改善的尺寸的磁随机存取存储器集成

摘要

用于在数字线与磁性设备的一侧之间进行连接的导电通孔位于每个磁性设备下方并与该磁性设备对准。其他接触部可以使用相同的工艺步骤而满足相同的设计规则。在导电通孔上形成的电极被抛光，以避免起源于导电通孔的阶梯物或者接缝经由各种沉积层而向上传播。该集成方法使得能够将MRAM设备的尺寸改善到至少45纳米节点，单元封装因子接近6F²，并且位线和下层存储器元件之间材料的厚度均匀。

主权项

一种制造磁性元件的方法，该方法包括：在第一电介质层中形成通孔；在通孔中形成第一导电材料，其中，第一导电材料与第一电介质层创建阶梯物，该阶梯物具有幅度；减小阶梯物的幅度，其中，减小的步骤包括：蚀刻第一导电材料，其中，在蚀刻第一导电材料之后，第一导电材料的一部分留在通孔中和第一电介质层上，以及在蚀刻第一导电材料之后，在留在通孔中和第一电介质层上的第一导电材料之上形成第二导电材料；其中，形成第一导电材料、蚀刻第一导电材料以及形成第二导电材料的步骤是被原位执行的；在第二导电材料上和第一导电材料以及第一电介质层之上形成导电材料的第一导电电极；以及在第一导电电极上和通孔之上形成与通孔对准的磁隧道结。