| 发明名称 | 评估晶片缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 一种评估晶片缺陷的方法包括以下步骤：制备晶片样品、在晶片样品上形成氧化层、使用表面光电压来测量少数载流子的扩散距离和确定污染的程度。 | ||
| 申请公布号 | CN103650125B | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201280033980.4 | 申请日期 | 2012.07.03 |
| 申请人 | LG矽得荣株式会社 | 发明人 | 咸昊璨 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人 | 张颖玲;徐川 |
| 主权项 | 一种评估晶片中的缺陷的方法，所述方法包括：制备晶片样品；在所述晶片样品上形成氧化层；使用表面光电压来测量少数载流子的扩散距离；和确定污染程度的结果，其中，在所述污染程度的结果的确定中，当在包括环占优势的点(LDP)缺陷区的情况下所述少数载流子具有450μm或大于450μm的扩散距离时，在所述环占优势的点(LDP)缺陷区中，间隙点缺陷是普遍的，以产生过饱和的间隙簇缺陷，设置Pi区以具有440μm或大于440μm的尺寸，并且设置所述环占优势的点(LDP)缺陷区以具有290μm～440μm的尺寸，在所述Pi区中，间隙点缺陷是普遍的，但没有簇缺陷存在。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||