Halbleitereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung

摘要

Eine Halbleitereinrichtung enthält einen Abschlussgraben, der ein Gebiet, in dem eine Vielzahl von Gategräben bereitgestellt ist, umgibt. Ein unteres Endgebiet des p-Typs ist in Kontakt mit einem unteren Ende des Abschlussgrabens; ein äußeres peripheres Gebiet des p-Typs ist in Kontakt mit dem Abschlussgraben von einer äußeren peripheren Seite und liegt an einer Oberfläche der Halbleitereinrichtung außen; eine Vielzahl von Schutzringgebieten eines p-Typs ist auf einer äußeren peripheren Seite des äußeren peripheren Gebiets des p-Typs bereitgestellt und liegt an der Oberfläche außen; und ein äußeres peripheres Gebiet des n-Typs trennt das äußere periphere Gebiet des p-Typs von den Schutzringgebieten und trennt die Schutzringgebiete voneinander.