发明名称 |
用于等离子涂敷室的吸取装置 |
摘要 |
本发明涉及一种用于支持等离子体增强涂敷处理的装置(8),所述装置可布置在等离子体和/或待涂敷的衬底和/或为产生等离子体而提供的电极附近,其中设有框架,框架至少部分地围绕或限制了等离子体区域或平面的边或面,衬底或承载衬底的承载元件可以布置在所述平面中,或者围绕或限制了其电极或部件之一的边或面,框架包括带有一个或多个吸取开口(10)的空腔或吸取通道(13),气体媒介可以经过所述空腔或吸取通道而被吸出。 |
申请公布号 |
CN101260519A |
申请公布日期 |
2008.09.10 |
申请号 |
CN200810007450.8 |
申请日期 |
2008.03.07 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
斯蒂芬·威尔德;杜比亚斯·瑞浦曼恩;麦特瑟斯·比巴斯;乌尔夫·斯蒂芬;奥拉夫·斯坦克 |
分类号 |
C23C16/513(2006.01);C23C16/455(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/513(2006.01) |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
赵飞 |
主权项 |
1.一种用于支持等离子体增强涂敷处理的装置,被设计为能够布置在等离子体附近、和/或待涂敷衬底附近、和/或用于在等离子体室或涂敷室中产生等离子体的电极附近,其特征在于,设有框架,所述框架至少部分地包围或限制了等离子体区域或平面的边或面,所述衬底或承载所述衬底的承载元件能够布置在所述平面中,或者包围或限制了所述装置被布置在所述等离子体室或涂敷室中时其电极或部件之一的边或面,所述框架包括带有一个或多个吸取开口(10)的空腔或吸取通道(13),气体媒质能够经过所述空腔或吸取通道而被吸走。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |