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Aktivmatrix-Bauteil mit organischen Leuchtdioden (AMOLED) mit: – einer auf einem isolierenden Substrat (110) hergestellten Pufferschicht (113); – einer auf der Pufferschicht (113) hergestellten Halbleiterschicht (115), die über Drain(115b)-/Sourceelektroden (115a) verfügt; – einem Gateisolierfilm (117), der auf der Pufferschicht (113) mit der Halbleiterschicht (115) hergestellt ist; – einer Gateelektrode (119) und einer unteren Kondensatorelektrode (121), die auf dem Gateisolierfilm (117) ausgebildet sind; – einem ersten Zwischenschichtisolierfilm (123), der auf der Gateelektrode (119) und der unteren Kondensatorelektrode (121) ausgebildet ist; – einer Kathodenelektrode (125) und einer oberen Kondensatorelektrode (127), die auf dem ersten Zwischenschichtisolierfilm (123) ausgebildet sind; – einem zweiten Zwischenschichtisolierfilm (129), der auf der sich ergebenden Struktur ausgebildet ist und über Kontaktlöcher (131a–131e) verfügt, die Teile der Kathodenelektrode (125), der Drainelektrode (115b), der Sourceelektrode (115a), der oberen Kondensatorelektrode (127) und der unteren Kondensatorelektrode (121) freilegen; – einem ersten (133) und einem zweiten (135) leitenden Schichtmuster, die auf dem zweiten Zwischenschichtisolierfilm (129) ausgebildet sind, wobei das erste leitende Schichtmuster (133) die Kathodenelektrode (125) und die Sourceelektrode (115a) verbindet und das zweite leitende Schichtmuster (135) die Drainelektrode (115b) und die obere Kondensatorelektrode (127) verbindet; – einer Passivierungsschicht (139), die auf der sich ergebenden Struktur ausgebildet ist und über eine Öffnung (141) verfügt, die einen Teil der Kathodenelektrode (125) freilegt; – einer innerhalb der Öffnung (141) ausgebildeten EL-Schicht (143) und – einer auf der EL-Schicht (143) ausgebildeten Anodenelektrode (145), wobei auf einer Oberfläche mindestens einer der folgenden Schichten eine Vielzahl von nichtdurchgängigen Vertiefungen (113a, 117a, 123a, 129a, 139a) ausgebildet ist: der Pufferschicht (113), des Gateisolierfilms (117), des ersten Zwischenschichtisolierfilms (123), des zweiten Zwischenschichtisolierfilms (129) und der Passivierungsschicht (139), wobei die Vielzahl von Vertiefungen (113a, 117a, 123a, 129a, 139a) unregelmäßig strukturiert ist. |
