| 摘要 |
<p>Es wird ein monolithisch integriertes MOS-Endstufenbauteil, insbesondere eine DMOS-Endstufe, vorgeschlagen, das mit einem einen GATE-, einen SOURCE- und einen DRAIN-Anschluß aufweisenden Endstufenelement (10) sowie mit einer Überlast-Schutzeinrichtung versehen ist. Weiterhin ist ein integrierter GATE-Vorwiderstand (11) vorgesehen, der einen äußeren GATE-Anschluß (Ga) des Endstufenbauteils mit dem GATE-Anschluß (Gi) des Endstufenelements (10) verbindet. Die Überlast-Schutzeinrichtung ist im Endstufenbauteil integriert und weist eine Pegelanpassungsstufe (30) auf, die durch definierte Durchströmung des GATE-Vorwiderstands (11) eine Verschiebung der Übertragungskennlinie des Endstufenelements (10) um einen definierten Spannungs-Offsetwert bewirkt. Weiterhin ist eine den Summenwert der DRAIN-SOURCE-Spannung und einer dem DRAIN-Strom proportionalen Spannung auf einen vorgebbaren Wert begrenzende Begrenzungsstufe (34) vorgesehen. Hierdurch kann eine Überlast-Schutzeinrichtung in monolithisch integrierter Form kostengünstig mit verbesserter Schutzfunktion realisiert werden, wobei die physikalischen Grenzen des Halbleiters stärker ausgenutzt werden können.</p> |
