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发明名称
CZ SINGLE CRYSTAL DOPED WITH Ga AND WAFER AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
摘要
申请公布号
KR100676459(B1)
申请公布日期
2007.01.31
申请号
KR20017001060
申请日期
2001.01.26
申请人
发明人
分类号
C30B15/04
主分类号
C30B15/04
代理机构
代理人
主权项
地址
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