控制等离子体激励功率的等离子体处理方法和装置

摘要

提供到真空等离子体处理腔内的等离子体的RF功率量响应存储于计算机存储器中的信号以预编程为基础逐渐改变。计算机存储器存储信号从而在产生逐渐变化时其它处理腔参数(压强、气体种类和气流速率)保持恒定。所存储的信号使得蚀刻出倒圆的边角而非锐利的边缘，例如沟槽壁和底部的相交部。

主权项

权利要求书1.一种在真空等离子体处理器腔中蚀刻工件的方法，其包括：当工件的某一特征被形成时，将一种气体转变成被作用于工件的AC蚀刻等离子体，当所述特征被形成时，所述AC蚀刻等离子体被持续地作用于工件，所述真空腔被支配为在不同压力下进行操作，所述气体以不同的流速流进所述腔内，在对工件进行蚀刻时，基于预编程的，以时间函数进行变化的功率读数来逐渐地改变提供到所述等离子体的AC功率量，其中，正在被处理的工件中的材料的形状响应功率的逐渐变化而发生逐渐的转变，而功率的逐渐变化发生在材料的形状的逐步转变过程中。