| 发明名称 | 一种高介电常数材料栅结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种高介电常数材料栅结构及其制备方法。在硅片表面氧化生长一非常薄的氮氧化硅层作为高介电常数材料与硅衬底之间的界面缓冲区，以便有效隔离高介电常数材料中的杂质元素与硅衬底间的扩散；在高介电常数材料表面进行氮化处理或者淀积一薄层氮化硅，把高介电常数材料覆盖住，并作为高介电常数材料与多晶硅的界面层，同时阻挡来自P+多晶的硼穿透。本发明的栅结构为三明治式。由本发明方法制备的高介电常数材料栅可以被有效应用于65纳米以下的CMOS工艺技术。 | ||
| 申请公布号 | CN100352062C | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
| 申请号 | CN200310108275.9 | 申请日期 | 2003.10.30 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 | 发明人 | 陈寿面 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 滕怀流;陶金龙 |
| 主权项 | 1、一种高介电常数材料栅结构，其特征在于栅结构为三明治式，其中最上面层为超 薄氮化硅层，厚度为3到15；中间层为高介电常数材料，厚度为5到60；最底层为 氮氧化硅，厚度为3到15。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东碧波路518号B楼303室 | ||