发明名称 |
液晶显示器制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种在透射和反射模式下均能显示的透反射式液晶显示器制造方法,并提供一种在透射和反射模式下均能实现高显示特性的透反射式液晶显示器制造方法。该方法包括如下步骤:在形成薄膜晶体管的栅极同时,在该对基板的另一基板上形成用于形成不规则变化的该图案的导体层;在该导体层上形成半导体层;在该半导体层上形成介电层;通过利用用于形成不规则变化的该图案的导体层作为掩模,进行背部曝光,将该介电层图案化;形成具有该导体层和该介电层的用于形成不规则变化的图案;以及在用于形成不规则变化的该图案上形成该反射体。 |
申请公布号 |
CN101261415A |
申请公布日期 |
2008.09.10 |
申请号 |
CN200810095580.1 |
申请日期 |
2004.10.12 |
申请人 |
富士通株式会社;友达光电股份有限公司 |
发明人 |
吉田秀史;田坂泰俊;田代国广;大室克文;镰田豪;上田一也;柴崎正和 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01);G02F1/1335(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张龙哺 |
主权项 |
1.一种制造液晶显示器的方法,该液晶显示器具有反射体,该反射体用于反射从一对基板的一基板的侧面入射的光,该液晶显示器还具有不规则形成图案,该不规则形成图案用于在该反射体上形成不规则变化,该方法包括如下步骤:在形成薄膜晶体管的栅极同时,在该对基板的另一基板上形成用于形成不规则变化的该图案的导体层;在该导体层上形成半导体层;在该半导体层上形成介电层;通过利用用于形成不规则变化的该图案的导体层作为掩模,进行背部曝光,将该介电层图案化;形成具有该导体层和该介电层的用于形成不规则变化的图案;以及在用于形成不规则变化的该图案上形成该反射体。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |