| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在所公开的方法中，通过在与有源区直接接触的PMD衬层和隔层绝缘层中提供足够的H<SUB>2</SUB>，并随后在后续热处理中逐渐地使H<SUB>2</SUB>扩散，来去除有源区中的不饱和键。该方法包括：形成具有侧壁隔离物的栅电极，形成源区及漏区，通过在栅电极和源区及漏区之上顺序地形成SiO<SUB>2</SUB>:H层、SiON:H层、和SiN:H层来形成PMD衬层，在PMD衬层之上形成隔层绝缘层，以及通过N<SUB>2</SUB>退火或Ar退火使在PMD衬层和隔层绝缘层中的氢扩散至源区及漏区。 | ||
| 申请公布号 | CN100466205C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200510077686.5 | 申请日期 | 2005.06.22 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 李载晳 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成具有侧壁隔离物的栅电极，以及在所述半导体衬底中形成源区及漏区；通过在所述栅电极和所述源区及漏区之上顺序地形成SiO2:H层、SiON:H层、和SiN:H层来形成PMD衬层；在所述PMD衬层之上形成隔层绝缘层；以及通过N2退火或Ar退火使在所述PMD衬层和所述隔层绝缘层中的氢扩散至所述源区及漏区。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||