| 发明名称 | 一种雪崩放大长波量子阱红外探测器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种雪崩放大长波量子阱红外探测器，包括InP衬底(1)及通过分子束外延或金属有机化学气相沉积依次生长于InP衬底(1)上的下电极(2)、多个周期的多量子阱层(3)、上电极(4)，所述多个周期的多量子阱层(3)中InP作为势垒层，In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1-y</sub>作为量子阱层，当器件工作时，在In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1-y</sub>量子阱层可以产生雪崩放大。本发明增强探测器的量子效率，提高器件的响应率，实现对长波红外光的探测。 | ||
| 申请公布号 | CN101599512A | 申请公布日期 | 2009.12.09 |
| 申请号 | CN200910040620.7 | 申请日期 | 2009.06.26 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 孙鲁;江灏 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 禹小明 |
| 主权项 | 1、一种雪崩放大长波量子阱红外探测器，包括InP衬底(1)及通过分子束外延或金属有机化学气相沉积依次生长于InP衬底(1)上的下电极(2)、多个周期的多量子阱层(3)、上电极(4)，其特征在于：所述多个周期的多量子阱层(3)中InP作为势垒层，InxGa1-xAsyP1-y作为量子阱层。 | ||
| 地址 | 510275广东省广州市新港西路135号 | ||