| 摘要 |
Биполярный транзистор на основе гетероэпитаксильных структур, содержащий омические контакты, подложку из арсенида галлия с кристаллографической ориентацией (001) с последовательно расположенными на ней слоями, включающими слои коллектора и эмиттера, отличающийся тем, что на подложке последовательно размещены буферный слой из нелегированного GaAs, субколлекторный слой из сильнолегированного GaAs n-типа проводимости, коллектор из GaAs n-типа проводимости, база из InGaAs, поверх которой размещен дополнительный промежуточный слой из InGaAs р-типа проводимости, эмиттер, содержащий два слоя из AlGaAs n-типа проводимости, контактные слои, при этом слои базы, промежуточного слоя и эмиттера выполнены с изменяющимся составом раствора и изменяющейся концентрацией легирующей примеси, при этом изменение состава раствора InGaAs вдоль базы и промежуточного слоя обеспечивается при значении у около 0,22 в области, прилегающей к области коллектора, до значения у около 0,01-0,02 в области, прилегающей к области эмиттера, а изменение концентрации легирующей примеси вдоль базы и промежуточного слоя обеспечивается от 0,7∙10смв области, прилегающей к коллектору, до 2∙10смв области, прилегающей к эмиттеру, кроме того, изменение состава раствора AlGaAs вдоль эмиттера обеспечивается при значении х около 0,22 в области, прилегающей к промежуточному слою, до значения х около 0,25 в области, прилегающей к контактному слою, а изменение концентрации легирующей примеси вдоль эмиттера обеспечивается от 5∙10смв области, прилегающей к промежуточному слою, до 8∙10смв области, прилегающей к контактному слою. |
