| 摘要 |
Die Erfindung offenbart ein Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen, welches die Schritte zu züchten eine amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht umfasst, eine Siliziummonoxid-Schicht wird zuerst auf der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht gezüchtet; dann wird eine Vielzahl von konkavförmigen gewölbten Flächen auf der Siliziummonoxid-Schicht gezüchtet, die konkavförmige gewölbte Fläche kann das Lichtbündel, das senkrecht auf die Siliziummonoxid-Schicht auftrifft, brechen; zuletzt wird ein Excimer-Laserstrahl verwendet, von der Siliziummonoxid-Schicht auf die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht zu bestrahlen, so dass die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet wird. Die Erfindung offenbart auch einen Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm, der nach oben beschriebenem Verfahren hergestellt ist, und einen Transistor, der den Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm umfasst. Wenn bei der Erfindung die Excimer-Laser-Annealing-Technologie zur herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen angewendet wird, sind der Startpunkt und die Richtung der Rekristallisation steuerbar, damit werden größere Kristallkörnchen erhalten. |
