| 发明名称 | 铪合金靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种铪合金靶，其特征在于，Hf中含有总计100重量ppm-10重量％的Zr或Ti中的任一方或双方，并且平均结晶粒径为1-100μm；作为杂质的Fe、Cr、Ni分别为1重量ppm以下；并且{002}与从该面起35°以内的{103}、{014}、{015}四个面的晶体惯态面取向率为55％以上，并且由于位置不同而引起的四个面的强度比的总和的偏差在20％以下。得到成膜特性和成膜速度良好、很少产生颗粒、并且能够很好地适用于形成HfO或HfON膜等高电介质门绝缘膜的铪合金靶及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100445420C | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200480006256.8 | 申请日期 | 2004.01.21 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 冈部岳夫;入间田修一;山越康广;宫下博仁;铃木了 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | C23C14/34(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;郭国清 |
| 主权项 | 1.一种铪合金靶，其特征在于，Hf中包含总计100重量ppm-10重量％的Zr或Ti中的任一方或双方，{002}和从该面起35°以内的{103}、{014}、{015}四个面的晶体惯态面取向率为55％以上，并且由于位置不同而引起的四个面的强度比的总和的偏差在20％以下，平均结晶粒径为1-100μm，作为杂质的Fe、Cr、Ni分别为1重量ppm以下，靶的腐蚀面的平均粗糙度Ra为0.01-2μm。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||