| 摘要 |
1. Полупроводниковые устройства теплоотвода на основе эффекта Пельтье, содержащие по меньшей мере одну пару полупроводниковых элементов, размещенных таким образом, чтобы имел место эффект Пельтье по теплопередаче, при этом пара полупроводниковых элементов состоит из одного активированного полупроводникового элемента p-типа и одного активированного полупроводникового элемента n-типа, каждый из которых имеет холодные и горячие стороны, при этом полупроводниковые элементы размещены так, чтобы сформировать последовательную электрическую цепь и параллельную термическую цепь; одновременно активная зона устройства имеет тепловое соединение с холодной стороной по меньшей мере одного активированного полупроводникового элемента p-типа и одного активированного полупроводникового элемента n-типа, в то же время горячая зона устройства имеет тепловое соединение с горячей стороной по меньшей мере одного активированного полупроводникового элемента p-типа и одного активированного полупроводникового элемента n-типа, при этом горячие стороны активированных полупроводниковых элементов существенно больше холодных сторон этих полупроводниковых элементов. ! 2. Полупроводниковые устройства теплоотвода на основе эффекта Пельтье по п.1, отличающиеся тем, что холодные стороны активированных полупроводниковых элементов имеют тепловой контакт с одиночной соприкасающейся активной зоной в форме кольца или круга, а горячие стороны полупроводниковых элементов термически соединены с горячей областью, выполненной в виде цилиндрического элемента. ! 3. Полупроводниковые устройства теплоотвода на основе эффекта Пельтье по п. |
