发明名称 一种自稳压LC压控振荡器
摘要 本实用新型公开了一种自稳压LC压控振荡器,它包含第一PNP管Q<sub>1</sub>和第二PNP管Q<sub>2</sub>,第一电阻R<sub>1</sub>、第二电阻R<sub>2</sub>、第三电阻R<sub>3</sub>,第一运放A<sub>1</sub>,功率管M<sub>P</sub>,第一MOS管M<sub>1</sub>、第二MOS管M<sub>2</sub>、第三MOS管M<sub>3</sub>、第四MOS管M<sub>4</sub>,电感L<sub>1</sub>,开关S<sub>1</sub>,第一电容C<sub>1</sub>和第二电容C<sub>2</sub>,第三积累型MOS管可变电容C<sub>3</sub>和第四积累型MOS管可变电容C<sub>4</sub>。通过电流复用的方式,将LC压控振荡器和带隙基准稳压源上下串连起来,极大地降低了功耗和噪声。
申请公布号 CN205356267U 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201521077960.4 申请日期 2015.12.22
申请人 江苏星宇芯联电子科技有限公司 发明人 许美程;沈剑均
分类号 H03B5/12(2006.01)I;H03L7/099(2006.01)I 主分类号 H03B5/12(2006.01)I
代理机构 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人 蒋真
主权项 一种自稳压LC压控振荡器,其特征在于它包含第一PNP管Q<sub>1</sub>和第二PNP管Q<sub>2</sub>,第一电阻R<sub>1</sub>、第二电阻R<sub>2</sub>、第三电阻R<sub>3</sub>,第一运放A<sub>1</sub>,功率管M<sub>P</sub>,第一MOS管M<sub>1</sub>、第二MOS管M<sub>2</sub>、第三MOS管M<sub>3</sub>、第四MOS管M<sub>4</sub>,电感L<sub>1</sub>,开关S<sub>1</sub>,第一电容C<sub>1</sub>和第二电容C<sub>2</sub>,第三积累型MOS管可变电容C<sub>3</sub>和第四积累型MOS管可变电容C<sub>4</sub>;其中:第一MOS管M<sub>1</sub>、第二MOS管M<sub>2</sub>为NMOS管,第三MOS管M<sub>3</sub>、第四MOS管M<sub>4</sub>为PMOS管;第一PNP管Q<sub>1</sub>和第二PNP管Q<sub>2</sub>,其个数之比为Q<sub>1</sub>:Q<sub>2</sub>=N:1,Q<sub>1</sub>和Q<sub>2</sub>的基极和集电极均接地,发射极分别接第一电阻R<sub>1</sub>和第三R<sub>3</sub>的下端;R<sub>1</sub>的上端与R<sub>2</sub>的下端相连,R<sub>2</sub>的上端和R<sub>3</sub>的上端短接在一起;运放A<sub>1</sub>的输入正负极别分接R<sub>2</sub>与R<sub>3</sub>的下端;功率管M<sub>P</sub>源极接电源VDD,栅极接运放A<sub>1</sub>的输出;第三MOS管M<sub>3</sub>和第四MOS管M<sub>4</sub>的源极均连接至功率管M<sub>P</sub>的漏极,第三MOS管M<sub>3</sub>和第四MOS管M<sub>4</sub>的栅极别分接与对方的漏极相连;第三积累型MOS管可变电容C<sub>3</sub>和第四积累型MOS管可变电容C<sub>4</sub>的阳极分别接第三MOS管M<sub>3</sub>和第四MOS管M<sub>4</sub>的漏极,第三积累型MOS管可变电容C<sub>3</sub>和第四积累型MOS管可变电容C<sub>4</sub>的阴极均接至电压V<sub>tune</sub>;电感L<sub>1</sub>的两端分别接第三MOS管M<sub>3</sub>和第四MOS管M<sub>4</sub>的漏极;第一电容C<sub>1</sub>和第二电容C<sub>2</sub>的阳极分别接第三MOS管M<sub>3</sub>和第四MOS管M<sub>4</sub>的漏极,第一电容C<sub>1</sub>和第二电容C<sub>2</sub>的阴极别分与开关S<sub>1</sub>的两端相连;第一MOS管M<sub>1</sub>的漏极接第三MOS管M<sub>3</sub>的漏极,第二MOS管M<sub>2</sub>的漏极接第四MOS管M<sub>4</sub>的漏极,第一MOS管M<sub>1</sub>和第二MOS管M<sub>2</sub>的栅极分别与对方的漏极相连,第一MOS管M<sub>1</sub>和第二MOS管M<sub>2</sub>的源极均与第二电阻R<sub>2</sub>和第三电阻R<sub>3</sub>的上端短接在一起。
地址 210000 江苏省南京市栖霞区甘家边东108号1幢201室