| 摘要 |
Ein FinFET-Halbleiterbauelement umfasst eine Rippenstruktur, die sich in einer ersten Richtung erstreckt und die sich von einer Isolierschicht erstreckt. Das FinFET-Bauelement umfasst außerdem einen Gate-Elektroden-Stapel, der eine Gate-Elektrodenschicht, eine Gate-Dielektrikumschicht, Seitenwand-Isolierungsschichten, die auf beiden Seiten der Gate-Elektrodenschicht angeordnet sind, und dielektrische Zwischenschichten, die auf beiden Seiten der Seitenwand-Isolierungsschichten angeordnet sind, umfasst. Der Gate-Elektroden-Stapel ist über der Isolierschicht angeordnet, bedeckt einen Abschnitt der Rippenstruktur und erstreckt sich in einer zweiten Richtung senkrecht zur ersten Richtung. Eine Aussparung wird in einer Oberseite der Isolierschicht ausgebildet, die nicht durch die Seitenwand-Isolierungsschichten und die dielektrischen Zwischenschichten bedeckt ist. Mindestens ein Abschnitt der Gate-Elektrodenschicht und der Gate-Dielektrikumschicht füllt die Aussparung. |
