具有均匀分布的微细结构的半导体开关

摘要

本发明涉及一种半导体开关,它可以用于以各种形式来切换电流。这样的双向开关用于一些电路(逆变器、矩阵转换逆变器),例如,在高达几千伏特的截断或者阻断电压的情况下。本发明旨在提供一种单体开关,它不必通过多个元件混合构成,并且可降低静态导通和关断损耗。本发明提出一种半导体开关,由不掺杂或者仅很弱地掺杂的半导体晶体制造,具有:一个工作区(1)和一个边缘区(50、51)。至少一个表面,特别是相对的表面设有大面积分布的细微结构(10、11、12、13、14),它们实质上是相同构造的,其中它们各有一个导电的接续面(KA、KB),通过这些电极,载流子可以经过受控制的大面积分布的细微结构(GA、GB)运动进入半导体晶体的工作区(1)。由此可以控制工作区(1)中的载流子浓度,并且由此控制所述半导体开关的切换状态。

主权项

1.一种半导体开关，由不掺杂或者仅很弱地掺杂的半导体晶体制造，用于在明显地高于栅极电路工作电压的高电压下，切换至少一个方向的，优选双方向的电流，它有一个工作区(1)和一个边缘区(50、51)，其中，所述半导体开关的工作区(1)的至少一个表面，特别是相对的表面设有大面积分布的细微结构(10，11，12，13，14)，它们的构造实质上是相同的，其中它们各有一个导电的接续面(KA、KB)，通过这些电极，载流子可以经过受控制的大面积分布的细微结构(GA、GB)运动进入半导体晶体的工作区(1)，以控制工作区(1)中的载流子浓度，并且由此控制所述半导体的开关状态。