| 发明名称 | 包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件。半导体器件的实施例包括具有半导体主体中的晶体管单元的晶体管单元阵列。平面栅极结构在第一侧处位于半导体主体上。场电极沟槽从第一侧延伸到半导体主体中。每一个场电极沟槽包括场电极结构。场电极沟槽的深度d大于第一侧处的场电极沟槽的最大横向尺寸wmax。 | ||
| 申请公布号 | CN106024856A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610189947.0 | 申请日期 | 2016.03.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | F.希尔勒;M.赫茨勒;R.西米尼克 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 申屠伟进;杜荔南 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：包括半导体主体中的晶体管单元的晶体管单元阵列；在第一侧处位于半导体主体上的平面栅极结构；从第一侧延伸到半导体主体中的场电极沟槽，每一个场电极沟槽包括场电极结构；并且其中场电极沟槽的深度d大于第一侧处的场电极沟槽的最大横向尺寸wmax。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||