| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Substrats mit einer metallischen Schicht, welche Gold aufweist. Weiter vorgesehen ist ein Ausbilden einer Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid auf dem Substrat, welche die metallische Schicht des Substrats und das Substrat außerhalb der metallischen Schicht bedeckt. Die Passivierungsschicht weist auf der metallischen Schicht eine geringere Haftung auf als auf dem Substrat außerhalb der metallischen Schicht. Das Verfahren umfasst des Weiteren ein mechanisches Strukturieren der Passivierungsschicht. Hierbei wird die Passivierungsschicht aufgrund der unterschiedlichen Haftung im Bereich der metallischen Schicht entfernt, und verbleibt die Passivierungsschicht im Bereich außerhalb der metallischen Schicht auf dem Substrat. |
