发明名称 |
从非易失性存储器读取数据的方法 |
摘要 |
本公开涉及从非易失性存储器读取数据的方法。能够运行各种不同的读取重试序列的存储器系统,包括具有引导ROM的存储器控制器,该引导ROM上存储有用来执行读取重试序列的代码。非易失性存储器设备(储如NAND闪存)包括读取重试寄存器并从该存储器控制器接收包括读取重试指令的命令指令并作为响应提供读取数据。在NAND闪存外部的第二非易失性存储器具有描述读取重试序列项的读取重试表,该读取重试序列项包括命令、读取重试寄存器地址和用于更新所述读取重试寄存器的读取重试教据。 |
申请公布号 |
CN106158038A |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201510262061.X |
申请日期 |
2015.04.14 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
谢杨易;樊崇斌;唐志鹏 |
分类号 |
G11C16/26(2006.01)I;G06F11/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/26(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
申发振 |
主权项 |
一种存储器系统,所述存储器系统包括:包括引导只读存储器ROM的存储器控制器,所述引导只读存储器上存储有用来执行读取重试序列的代码;可操作地耦合到所述存储器控制器的第一非易失性存储器,所述第一非易失性存储器包括用于从所述存储器控制器接收包括读取重试指令的命令指令并作为响应提供读取数据的读取重试寄存器;以及第二非易失性存储器,所述第二非易失性存储器在所述第一非易失性存储器外部、可操作地耦合到所述存储器控制器,其中所述第二非易失性存储器包括读取重试表,所述读取重试表具有描述读取重试序列项的报头,所述读取重试序列项包括命令、地址和数据中的至少一项。 |
地址 |
美国得克萨斯 |