发明名称 |
电容L形排列的双面双用硅麦克风 |
摘要 |
本实用新型是一种电容L形排列的双面双用硅麦克风,它有上下两端开口的框架,开口的上下两端分别封有上PCB板和下PCB板,形成一容置空腔,容置空腔内包括有MEMS晶片、IC晶片及两个电容,并贴装于下PCB板的内表面上,其特征是在上PCB板和下PCB板的外表面上都排布有相应的电路结构,在框架内壁设有突块,突块的侧面设有金属层,金属层与相应的MEMS晶片、IC晶片及两个电容连通,突块上的金属层均与在上PCB板和下PCB板外表的上触点和下触点导通,形成双面电气连接通路;所述的两个电容在框架内呈L形布置;在框架与上PCB板以及框架与下PCB板的周边接触面之间分别设有封闭的环状金属圈。该实用新型具有连接可靠、工艺处理简单,制造和使用方便,性能好的优点。 |
申请公布号 |
CN201393299Y |
申请公布日期 |
2010.01.27 |
申请号 |
CN200920117096.4 |
申请日期 |
2009.04.09 |
申请人 |
浙江新嘉联电子股份有限公司 |
发明人 |
冯金奇 |
分类号 |
H04R19/04(2006.01)I;H04R1/00(2006.01)I |
主分类号 |
H04R19/04(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、电容L形排列的双面双用硅麦克风,它有上下两端开口的框架,开口的上下两端分别封有上PCB板和下PCB板,形成一容置空腔,容置空腔内包括有MEMS晶片、IC晶片及两个电容,并贴装于下PCB板的内表面上,其特征是在上PCB板和下PCB板的外表面上都排布有相应的电路结构,在框架内壁设有突块,突块的侧面设有金属层,金属层与相应的MEMS晶片、IC晶片及两个电容连通,突块上的金属层均与在上PCB板和下PCB板外表的上触点和下触点导通,形成双面电气连接通路;所述的两个电容在框架内呈L形布置;在框架与上PCB板以及框架与下PCB板的周边接触面之间分别设有封闭的环状金属圈。 |
地址 |
314100浙江省嘉兴市嘉善县经济开发区东升路36号 |