| 发明名称 |
A process for fabricating a self-aligned T-shaped gate electrode with reduced resistivity |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0991113(A3) |
申请公布日期 |
2004.09.22 |
| 申请号 |
EP19990480094 |
申请日期 |
1999.09.30 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PTE LTD. |
发明人 |
PAN, YANG;LIU, ERZHUANG |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28;H01L21/338 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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