快速精确的纯位相元件离子束刻蚀加工方法

摘要

本发明涉及对纯位相元件进行加工的方法，尤其是涉及离子束刻蚀加工方法。它是将其中的点阵计算过程在继承了强迫自恰迭代算法所具备的耗时短的优良特性的基础上进行“变参数”计算，即利用PPE与实用系统参数之间的依赖关系，在计算中改变某些特定的参数，从而在充分保证输出光场结果满足要求的情况下，大大减少了位相分布的突变线，使得后续的离子束(旋转或平动)刻蚀过程实现了高精度的加工。因此，本发明可以既快速、又精确地实现PPE的离子束刻蚀加工。

主权项

1、一种快速精确的纯位相元件离子束刻蚀加工方法，其加工过程按以下步骤进行：①根据纯位相元件的实际使用需要所提供的输出光强函数以及波长λ与主透镜焦距f进行位相分布曲面的点阵计算；②将所得数据输入加工机床的控制器中进行加工指令的编码、并加工出所对应的掩模板；③将所得的掩模板安装在离子束刻蚀系统中、对基片进行加工，以得到所需的纯位相元件；其特征在于上述第①个步骤的具体过程为：(a)将λ和/或f增大到至少2倍，同时相应地修改输出光强分布的函数；(b)将修改后的函数在变化的参数下采用强迫自恰迭代算法进行计算，直到得到满足要求的光强分布为止；(c)将计算所得到的位相点阵数据连接为位相分布曲面，视其位相深度是否小于10π，否则将放大比例提高、再次进行计算，直至小于10π；(d)将所得数据采用模拟退火算法进行优化。