| 发明名称 | 一种直径可调的硅量子线阵列的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于纳米发光材料制备技术领域，具体为一种直径可调的硅量子线阵列的制备方法。其步骤包括利用离子束设备在硅片表面进行辐射，生成致密有序的硅量子共阵列，然后在真空蒸镀系统中蒸镀铝电极；在电化学腐蚀系统中在硅片背面蒸镀连接电源的电极，并最终生成硅量子线阵列。本发明方法简便易行，量子线阵列的直径可控。 | ||
| 申请公布号 | CN101055910A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200710040491.2 | 申请日期 | 2007.05.10 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 孙海彤;李政皓;陆明 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/3063(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 1、一种直径可调的硅量子线阵列的制备方法，其特征在于具体步骤如下：(1)利用氩离子束设备对硅片表面进行辐射，控制离子束流密度为1μA/cm2～800μA/cm2，用不同的束流密度辐射1-3次，生成致密有序的硅量子点阵，量子点大小可控范围为1nm～70nm；(2)将表面具有硅量子点阵的硅片放入真空蒸镀系统，在硅片背面蒸镀铝电极，真空度需要小于2.0×10-3Pa。(3)将经上述处理的硅片放入电化学腐蚀系统，使硅片正面接触电化学腐蚀液，蒸镀有铝电极的背面接电源的电极。控制腐蚀条件如电流1mA～100mA，腐蚀时间1s～1hour，最终生成硅量子线阵列。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||