发明名称 | 一种制作电阻随机存储单元阵列的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种制作电阻随机存储单元阵列的方法,该方法具体为:在缺氧的条件下对制备出的PCMO薄膜进行退火处理,原位溅射金属薄膜保护层,在样品表面利用紫外光刻得到底电极总线图形,用氩离子刻蚀顶层金属薄膜保护层,用氧化性蚀刻溶液刻蚀PCMO薄膜,用氩离子刻蚀底层电极金属层,刻出底电极总线,用有机溶剂除去光刻胶,再次涂光刻胶套刻出存储单元图形,并刻出存储单元,沉积绝缘材料,用有机溶液去除光刻胶,再次在原有图形的基础上套刻出顶电极总线图形,溅射顶电极金属薄膜,去除光刻胶,形成顶电极总线。本方法包括溅射金属保护层、制作上下电极总线、选择合适的刻蚀溶液湿法刻蚀存储单元等。该方法可制作PCMO微结构的存储单元阵列。 | ||
申请公布号 | CN101079395A | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
申请号 | CN200710100014.0 | 申请日期 | 2007.06.04 |
申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 王振中;赵宏武;陈东敏 |
分类号 | H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 尹振启 |
主权项 | 1.一种制作电阻随机存储单元阵列的方法,其具体步骤为:(1)已知技术在底电极金属层表面制备出PCMO薄膜后,首先在缺氧的条件下对其进行退火处理,然后原位溅射金属薄膜保护层;(2)在样品表面涂上光刻胶,然后前烘、紫外曝光、显影、定影、后烘,转移底电极总线图形;(3)用氩离子刻蚀顶层金属薄膜保护层;(4)用氧化性蚀刻溶液刻蚀PCMO薄膜;(5)用氩离子刻蚀底层电极金属层,刻出底电极总线;(6)用丙酮或其他有机溶剂除去光刻胶,并再次涂光刻胶套刻出存储单元图形,并重复步骤3、4,刻出存储单元;(7)沉积绝缘材料,绝缘材料的厚度略大于PCMO薄膜和底电极金属层厚度的和;(8)用丙酮或其他有机溶液去除光刻胶;(9)再在表面涂上光刻胶,在原有图形的基础上套刻出预电极总线图形;(10)溅射顶电极金属薄膜,顶电极金属薄膜的材料可以是Pt、Ag、Au中的一种,薄膜厚度约100nm;(11)重复步骤8,去除光刻胶,形成顶电极总线。 | ||
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