发明名称 | 垂直腔面发射激光器及其制造方法 | ||
摘要 | 公开了一种垂直腔面发射激光器及其制造方法。所述激光器包括:形成在接触层的部分处的反射透镜以及与反射透镜分隔开并且围绕反射透镜的上电极。制造该激光器的方法包括以下步骤:在半导体基底的下表面上形成下电极之后,在半导体基底的上表面上依次生长下反射镜、振荡区、上反射镜和接触层;在接触层上形成环形掩模,在该环形掩模的部分处形成台形开口;通过掩模的台式结构的开口生长反射透镜,该反射透镜具有厚度不同的部分和外围部分;在去除掩模之后,围绕反射透镜形成环形上电极。 | ||
申请公布号 | CN101145674A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
申请号 | CN200710154099.0 | 申请日期 | 2007.09.14 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金映铉;金仁;李焘英 |
分类号 | H01S5/183(2006.01) | 主分类号 | H01S5/183(2006.01) |
代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;谭昌驰 |
主权项 | 1.一种垂直腔面发射激光器,包括:接触层;反射透镜,布置在接触层的中央部分处;上电极,与反射透镜分隔开预定距离,并被构造为围绕反射透镜。 | ||
地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416 |