| 摘要 |
Verfahren zur Verminderung von Punch-Through-Neigung zwischen dotierten Halbleiterbereichen, bei dem – an einer Oberseite eines Substrates (1) mit einer Epitaxieschicht (5, 10), die mit einer maximalen Dotierstoffkonzentration von 1 × 1013 cm–3 bis 2 × 1013 cm–3 dotiert ist, dotierte Bereiche (2; 11) mit einem ersten Dotierstoff für einen ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet werden, – ein zweiter Dotierstoff, der eine im Vergleich zu dem ersten Dotierstoff höhere Diffusionskonstante aufweist, für einen zu dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp in den dotieren Bereichen (2; 11) implantiert wird, – eine Temperaturerhöhung erfolgt, die eine Diffusion der Dotierstoffe bewirkt, und – die Dotierstoffkonzentrationen so eingestellt werden, dass nach der Diffusion der erste Leitfähigkeitstyp in den dotierten Bereichen überwiegt und angrenzend an die dotierten Bereiche weitere dotierte Bereiche (3) ausgebildet sind, in denen der zweite Leitfähigkeitstyp überwiegt und die die dotierten Bereiche (2; 11) gegeneinander elektrisch isolieren. |
