| 摘要 |
ａ）式ＣｙＬＭＺｐの金属錯体（式中、Ｍは、第４族の金属であり、Ｚは、アニオン性配位子であり、ｐは、１〜２の数、好ましくは２であり、Ｃｙは、シクロペンタジエニルタイプの配位子であり、そしてＬは、式（Ａ）の配位子（ここで、それぞれのＡは独立して、窒素およびリンからなる群より選択され、そしてＲ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は独立して、水素、非置換もしくは置換のヒドロカルビル、非置換もしくは置換のシリル、および非置換もしくは置換のゲルミル残基からなる群より選択される）である）、およびｂ）ホウ素含有活性化剤、を含み、その活性化剤のホウ素の、その金属錯体のＭに対するモル比が２．５よりも大きいことを特徴とする、触媒系。 |
