ET-Strukturen und Bildungsverfahren

摘要

FinFETs und Bildungsverfahren von finFETs werden beschrieben. Gemäß einiger Ausführungsformen umfasst eine Struktur eine Kanalregion, erste und zweite Source-/Drain-Regionen, eine Dielektrikumschicht und eine Gateelektrode. Die Kanalregion umfasst Halbleiterschichten über einem Substrat. Jede der Halbleiterschichten ist von angrenzenden der Halbleiterschichten getrennt und jede der Halbleiterschichten weist erste und zweite Seitenwände auf. Die ersten und zweiten Seitenwände sind jeweils entlang einer ersten und zweiten Ebene ausgerichtet, die sich senkrecht zum Substrat erstrecken. Die ersten und zweiten Source-/Drain-Regionen sind auf gegenüberliegenden Seiten der Kanalregion angeordnet. Die Halbleiterschichten erstrecken sich von der ersten Source-/Drain-Region zur zweiten Source-/Drain-Region. Die Dielektrikumschicht kontaktiert die ersten und zweiten Seitenwände der Halbleiterschichten und die Dielektrikumschicht erstreckt sich in eine Region zwischen der ersten Ebene und der zweiten Ebene. Die Gateelektrode befindet sich über der Dielektrikumschicht.