发明名称 |
快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路 |
摘要 |
一种快速稳定的互补金属氧化物半导体(CMOS)恒电位仪电路,涉及生化传感器技术,包括运算放大器、偏置电源、两个微电极和NMOS管,一个单刀双掷开关、一个稳压电容以及一个控制开关状态的数字逻辑电路,其中,偏置电源的正端和传感器的一个微电极分别接运算放大器的正、反向输入端,偏置电源的负端和另外一个微电极共同接地电平;NMOS管的栅极接运算放大器的输出端,源极接运算放大器的反向输入端,漏极作为恒电位仪的输出端;稳压电容一端接地电平,另一端接单刀双掷开关;单刀双掷开关的两个状态分别接到了运算放大器的正、反向输入端,数字逻辑电路负责控制开关的打向。本发明使恒电位仪输出端点输出一个更接近理想的恒流源。 |
申请公布号 |
CN101078707A |
申请公布日期 |
2007.11.28 |
申请号 |
CN200610080985.9 |
申请日期 |
2006.05.26 |
申请人 |
中国科学院电子学研究所 |
发明人 |
杨海钢;李策 |
分类号 |
G01N27/403(2006.01);G01N27/27(2006.01);G01N33/48(2006.01) |
主分类号 |
G01N27/403(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1、一种快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路,包括运算放大器、偏置电源、两个微电极和NMOS管;其特征在于,还包括一个单刀双掷开关、一个稳压电容以及一个控制开关状态的数字逻辑电路,其中,偏置电源的正端和传感器的一个微电极分别接运算放大器的正、反向输入端,偏置电源的负端和另外一个微电极共同接地电平;NMOS管的栅极接运算放大器的输出端,源极接运算放大器的反向输入端,漏极作为恒电位仪的输出端;稳压电容一端接地电平,另一端接单刀双掷开关;单刀双掷开关的两个状态分别接到了运算放大器的正、反向输入端,数字逻辑电路负责控制开关的打向。 |
地址 |
100080北京市海淀区北四环西路19号 |